英飞凌推出业界首款无铅封装的汽车电源MOSFET

时间:2012-2-9

      英飞凌宣布推出采用TO无铅封装的汽车电源的MOSFET的系列产品新型40V的OptiMOS™T2的MOSFETTO-262以及T2系列产品的量产已准备就绪。

      英飞凌的MOSFET的新系列产品超越了现行欧盟RoHS指令对于含铅焊锡封装的规范，更严格的ELV符合RoHS标准可能将于2014年施行，届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET的，英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。

      英飞凌汽车电子事业处标准电源产品副总裁暨总经理弗兰克Schwertlein且符合RoHS环保之MOSFET，协助客户开发节能的“绿色”产品。

      英飞凌专利的无铅黏晶（芯片粘接）175μm），为功率半导体提供多项改良：   

      环保的技术：不使用线索及其他有毒物质。

      扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程：大幅降低封装的导通电阻值的RDS（on）。

      热阻（RthJC）改善率高达40-50％：传统的软线索焊料的热传导能力不佳，阻碍了​​MOSFET的接面之散热。

      其他优点还包括：由于没有焊锡流量迹（出血）及晶片倾斜（芯片tiltness）的问题，以及更收敛的RDS（ON）与RthJC

      从新款的OptiMOST240V（如：IPB160N04S4-02D，160A）的规格产品得知，其RDS（ON）仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K/W相较于使用标准线索焊接的同类产品，其导通电阻降低了约20％的OptiMOST2的产品拥有同级产品中最佳效能。     

      上市时间     

      OtpiMOST2为业界率先采用至无铅封装的车用电源的MOSFET的，系列产品包括IPB160N04S4-02D（160A，TO-263封装），IPB100N04S4-02D（100A，TO-263），IPP100N04S4-03D（100A，TO-220）以及IPI100N04S4-03D（100A，TO-262）皆已上市。